从硅光晶圆到硅光芯片还需经历减薄、划片等工序流程。对晶圆背面进行研磨使晶圆减薄到一定的厚度具有提高芯片的散热效率、减小芯片封装体积、减少背面应力等优点。海光芯创目前开发了晶圆减薄工艺,减薄的精度能达到±5μm。晶圆减薄后的下一道工序是晶圆切割,即划片。划片的精度决定了芯片中光耦合端口和电焊盘距离芯片边缘的距离,从而影响芯片的耦合插损、打线高频带宽等性能。为了尽可能地不降低芯片封装后的性能,海光芯创采用了激光隐形切割技术——通过将激光聚焦在硅片内部形成改质层,然后通过扩膜裂片的方式分离芯片。其具有无污染、无材料损耗、高加工效率、高加工精度(<3μm)等特点。除此之外,为了提高芯片耦封后的性能,满足更高传输速率的需求,海光芯片还开发了芯片flip-chip和硅V槽刻蚀等工艺技术。